перейти к полному списку дипломных проектов
Ссылка на скачивания файла в формате .doc находится в конце странички
1 Использование отрицательной обратной связи
Функциональная схема ПНТ, использующая отрицательную обратную связь (ООС) для снижения влияния rЭ, приведена на рисунке 2
2.2) являются:
напряжение смещения управляемых током дифференциальных каскадов;
напряжения смещения ПНТ;
погрешность установки масштабного коэффициента;
влияние коэффициента усиления тока базы транзисторов;
влияние токосуммирующего выходного каскада (при использовании одиночного выхода АП);
нелинейность ПНТ;
влияние объемных сопротивлений баз транзисторов.
Погрешности, обусловленные первыми пятью факторами, играют существенную роль, но могут быть снижены за счет тщательного симметрирования схемы с использованием технологических возможностей интегральной технологии, а также в процессе эксплуатационной настройки интегральной схемы АП [4].
В [6] показано, что результирующая погрешность АП, обусловленная нелинейностью ПНТ в каналах X и Y может быть найдена как взвешенная сумма погрешности каждого ПНТ:
,
где X и Y – относительные изменения токов в каждом канале.
Составляющие погрешности, обусловленные нелинейностью ПНТ и объемными сопротивлениями, необходимо снижать схемотехническими приемами, что и будет в дальнейшем рассмотрено.
Упрощенная схема наиболее часто используемого ПНТ, представляющего собой дифференциальный усилитель с последовательной обратной связью по току в эмиттерной цепи, приведена на рисунке 2.3а.
а) б)
Рис. 2.3. Преобразователь «напряжение-ток» (а) и его проходная характеристика (б)
В работе [7] приводится методика оценки погрешности ПНТ такого рода, суть которой сводится к оценке отклонения реальной функции крутизны преобразования напряжения в ток (кривая 2 на рис. 2.3б) от ее линейного приближения (кривая 1 на рис. 2.3б). В этом случае для схемы рис. 2.3а) крутизну преобразования можно представить как
, (2.10)
где IX – приращение тока коллектора транзисторов дифференциальной пары; I0 – ток источников тока дифференциального каскада; rE = (T/I0 – дифференциальное выходное сопротивление транзисторов VT1,2 со стороны эмиттера; X=IX/I0 – относительное изменение тока.
В этом случае отклонение от линейности
,
где SX=dIX /dUX – крутизна прямой передачи; (IX – абсолютное отклонение тока от идеальной линейной функции; S0 =I0 /U0 – крутизна прямой передачи при линейном приближении, I0 – максимальный выходной ток преобразователя при подаче на вход максимального напряжения UX = U0.
Отметим, что SX(0) = S0, поэтому
. (2.11)
Подставляя (2.11) в (2.10), получаем относительную погрешность преобразования напряжения в ток:
, (2.12)
поскольку при ( << 1 можно положить IX/I0 ( UX/U0.
Отметим, что в отличие от предложенного в [4] метода определения погрешности ПНТ в выражении (2.12) отсутствует трансцендентность, что позволяет оценивать погрешность непосредственно, без построения номограмм. Также необходимо отметить, что результаты оценки погрешности предложенным методом хорошо совпадают с результатами схемотехнического моделирования.
Из выражения (2.12) следует, что приемлемых уровней погрешности (меньше 0,1 %) можно достичь только при выполнении условий: R1/2rE > 500 и X<0,75. Для АП, работающих при питающих напряжениях (15 В эти условия могут быть легко реализованы, как будет показано ниже. Для низковольтных АП (при их питании от напряжений меньше (5 В) выполнение этих условий приведет к резкому снижению масштабного коэффициента перемножителя, повышению уровня шумов и т.д.
Основная погрешность линейности преобразования рассмотренного ПНТ обусловлена существенной режимной зависимостью rE от тока эмиттера. Суть рассмотренных ниже схемотехнических приемов заключается в том, что тем или иным способом необходимо ослабить влияние изменения rE при изменении тока эмиттера.
2.1.1 Использование отрицательной обратной связи
Функциональная схема ПНТ, использующая отрицательную обратную связь (ООС) для снижения влияния rЭ, приведена на рисунке 2.4. Напряжение с выходов двух операционных усилителей (ОУ) выделяется на резисторе R. Если пренебречь базовыми токами транзисторов, то весь преобразованный ток течет в их коллекторы:
,
где КU – коэффициент усиления по напряжению ОУ.
Упрощенный вариант схемотехнической реализации функциональной схемы (рис. 2.4) приведен на рисунке 2.
скачать бесплатно Способы построения аналоговых перемножителей
Содержание дипломной работы
1, имеем:
,
,
тогда
,
где k – коэффициент, обусловленный особенностями работы логарифматора; – конечный коэффициент, вносимый логарифматорами и антилогарифматором
Очевидно, что эту схему в ограниченном диапазоне напряжений можно использовать как делитель напряжения
Простейший АП на основе дифференциального каскада
По своему действию дифференциальный каскад на транзисторах VT1 и VT2 (рис
1 Схемотехнические способы снижения погрешности перемножения
Источниками погрешности перемножения в четырехквадрантном АП (рис
1 Использование отрицательной обратной связи
Функциональная схема ПНТ, использующая отрицательную обратную связь (ООС) для снижения влияния rЭ, приведена на рисунке 2
2 Использование принципов компенсации нелинейности
Основная погрешность линейности преобразования рассмотренного ПНТ обусловлена существенной режимной зависимостью rE от тока эмиттера
С помощью делителей тока ДТ часть тока IX ответвляется в транзисторы VT3 и VT4 и с соответствующим знаком суммируется с выходным током ПНТ
Если вместо делителя тока в схеме ПНТ использовать ответвитель тока (рис
Поскольку приращение тока через резистор RX обусловлено приращением тока через транзистор VT7 или VT9, то пропорциональное приращение тока возникает и в транзисторах VT15, VT16
3а), так как результирующее приращение тока через резистор R1 возникает как за счет верхнего, так и за счет нижнего плеча моста, которые имеют противоположные знаки
С ростом тока в одном из плеч дифференциального повторителя тока растет напряжение база-эмиттер входного транзистора, например VT13
1)
где IX1=IX0 +IX ; IX2=IX0 -IX ; IY1=IY0 - IY; IY2=IY0 -IY; IX, IY – соответствующие приращения токов относительно статических токов IX0 и IY0
Для снижения погрешности за счет объемных сопротивлений баз транзисторов выполнено соответствующее масштабирование площадей транзисторов множительного ядра и логарифмирующих диодов
Амплитудно-частотная и фазочастотная характеристики
низковольтного АП
Принципиальная электрическая схема низковольтного АП на основе элементной базы АБМК НПО «Интеграл» приведена на рисунке 5
На один из входов, например Y, подавалось постоянное напряжение, а на вход X – изменяющееся в заданном диапазоне
Логарифмические АЧХ (1) и ФЧХ (2)
линеаризованного смесителя
Отклонение от линейности линеаризованного смесителя не превышает 0,7 % при входном напряжении 100 мВ
В этом случае должны быть использованы транзисторы p-n-p-типа, а их свойства на порядок хуже, чем свойства транзисторов SiGe n-p-n-типа
с англ
13
Printed in U