Карта сайта
Главная: Скачать бесплатно дипломный проектВплив легування цинком на властивості МОН-структур.
Метою цієї дипломної роботи є всебічне дослідження зарядових характеристик та параметрів розподілу МОН-структур з легованим в процесі гетерування дефектів шарів SіO2 та структур в цілому
Як згадано в [6,7] для барботування використовується вихідний розчин хлориду цинку концентрації 1 - 3%, або, при миттєвому випаровуванні розчину в реакторі, 0,001 - 0,025% розчин ці домішки мають малі коефіцієнти дифузії в оксиді, тому оксид може застосовуватись для маскуванні при дифузії домішки в кремнію
Де Q0t - ефективна поверхнева густина цього заряду, приведена до одиниці площі межі розподілу Si-SiO2; (0t - істинна об'ємна густина заряду, захопленого в окислі3, Залежність температури окислення, при якій відсутні окислювані дефекти упаковки, від співвідношення концентрацій трихлоретилену та кисню в окислюваній атмосфері
Сучасний рівень щільності пакування елементів ІС вимагає високої суцільності плівок у взаємозв'язку з необхідними електрофізичними параметрами елементів та їх стабільнісію Процес завантаження-вивантаження пластин в реактор тривав не менше 5 хвилин для уникнення термоударів пластин та генерації при цьому дислокацій за рахунок термомеханічних навантажень
Руйнуючі методи:
а) Анодне травлення використовується для виявлення дефектів в підкладці з полікристалічного кремнію [15] і має переваги хімічного травлення і методу наведення струму Перевага цього методу полягає в більшій швидкодії і підвищенні точності в порівнянні з вольт-фарадним методом2) проявлялися також в місцях контакту пластини з кварцовим човником і в значній мірі визначалися щільністю входження пластини в його пази
Використовуючи в якості відліку орієнтацію пластин кремнію і базового зрізу встановлено напрями ліній пороутворення в плівках диоксиду кремнію Суттєво, що в цьому діапазоні концентрації пористість плівок диоксиду кремнію слабо залежить від концентрації розчину хлористого цинку Залежності впливу опромінення та наступного вщпалу на 1/Тд: 1 - вихідні; 2 - після опромінення
Измеритель коэффициента шума
Развитие систем автоматизации и диспетчеризации СЭС
Выбор и обоснование технических требований к системе
Обзор особенностей обеспечения тепловых режимов в конструкциях ЭВС
Классификация существующих гидролокационных устройств
ОСНОВЫ ПОСТРОЕНИЯ ЛОКАЛЬНЫХ СЕТЕЙ
Анализ и оценка типовых топологий вычислительных сетей
Анализ систем безопасности, использующих GSM каналы
Анализ систем безопасности, использующих GSM каналы
Способы построения аналоговых перемножителей
Анализ базовых концептуальных принципов и структуры построения интеллектуальных сетей
БЛОК АВТОМАТИЗИРОВАННОГО УПРАВЛЕНИЯ СВЯЗЬЮ
ВОЛНОВАЯ РЕЗОНАНСНАЯ ТЕОРИЯ
ВЫСОКОЧАСТОТНЫЙ ПРИЕМНЫЙ ТРАКТ
Анализ конструктивных особенностей копировального аппарата
Основные положения нейронных сетей
Вимоги до характеристик вимірювача шуму
Анализ исходной информации и требований технического задания
