перейти к полному списку дипломных проектов
Ссылка на скачивания файла в формате .doc находится в конце странички
3а), так как результирующее приращение тока через резистор R1 возникает как за счет верхнего, так и за счет нижнего плеча моста, которые имеют противоположные знаки
21), поскольку S = dIX/dUX.
Результаты моделирования схемы ПНТ (рис. 2.18) приведены на рисунке 2.20 и практически совпадают с результатами моделирования схемы (рис. 2.19). Погрешность преобразования ПНТ в этом случае не превышает 0,0015 % в диапазоне входных напряжений (1 В, однако следует заметить, что частотные свойства этой схемы существенно зависят от качества боковых p-n-p транзисторов и на амплитудно-частотной характеристике появляется подъем вблизи частоты среза, обусловленный вторым порядком передаточной функции цепи.
2.1.3 Мостовые преобразователи «напряжение-ток»
Как уже отмечалось, основная погрешность линейности преобразования рассматриваемых ПНТ обусловлена существенной режимной зависимостью rЭ от тока эмиттера.
На рисунке 2.21 приведена схема мостового преобразователя «напряжение-ток», в котором влияние выходного сопротивления преобразователя на точность преобразования существенно снижено. В основе такой мостовой схемы лежит «бриллиантовый транзистор» [11]. Действительно, для тока, протекающего через резистор R1, можно записать:
, (2.22)
где RВЫХ.1,2 – выходное сопротивление соответствующего «бриллиантового транзистора».
Рис. 2.21. Схема мостового преобразователя «напряжение-ток»
Выходное сопротивление «бриллиантового транзистора» можно представить следующим образом:
, (2.23)
где rЭ.N , rЭ.Р – дифференциальные сопротивления эмиттеров выходных транзисторов (VT4, VT6) типа n-p-n и p-n-p соответственно; rБ.N, rБ.P – приведенные к выходу объемные сопротивления базы соответствующих транзисторов.
Если пренебречь объемными сопротивлениями базы, выражение (2.23) преобразуется к виду:
.
Это значит, что выходное сопротивление бриллиантового транзистора не зависит от тока, протекающего через резистор R1 или, что то же самое, крутизна преобразования напряжения в ток не зависит от уровня входного сигнала.
Реально объемные сопротивления базы транзисторов не равны нулю, более того – они режимно зависимы, так как в объемном сопротивлении базы присутствуют две составляющие. Первая составляющая определяет сопротивление вывода базы и сопротивление внешней области базы, которое не зависит от тока базы. Вторая составляющая характеризует сопротивление активной области базы, находящейся непосредственно под эмиттером – это сопротивление зависит от тока базы [12]. Вид этой зависимости достаточно сложен и носит полуэмпирический характер для различных транзисторов. Однако для многих случаев характер этой зависимости таков, что максимум крутизны преобразования лежит не в окрестности UX = 0, а на краях динамического диапазона и отклонение крутизны от линейности существенно меньше, чем в схеме классического преобразования тока в напряжение на основе дифференциального каскада (рис. 2.3а).
Зависимость тока через резистор R1 в этом случае можно представить как
. (2.24)
К достоинствам такого способа построения мостового преобразователя можно также отнести гораздо более широкий динамический диапазон по входному напряжению при заданной погрешности преобразования или возможность уменьшения сопротивления R1 для увеличения крутизны.
С другой стороны, мостовая схема преобразователя имеет в два раза меньшую крутизну по сравнению с базовой схемой (рис. 2.3а), так как результирующее приращение тока через резистор R1 возникает как за счет верхнего, так и за счет нижнего плеча моста, которые имеют противоположные знаки. Поэтому токи коллекторов транзисторов VT4 и VT3 имеют в два раза меньшие приращения, чем ток в резисторе R1.
Повысить крутизну преобразования можно, вводя повторители тока (F1 и F2 на рис.
скачать бесплатно Способы построения аналоговых перемножителей
Содержание дипломной работы
1, имеем:
,
,
тогда
,
где k – коэффициент, обусловленный особенностями работы логарифматора; – конечный коэффициент, вносимый логарифматорами и антилогарифматором
Очевидно, что эту схему в ограниченном диапазоне напряжений можно использовать как делитель напряжения
Простейший АП на основе дифференциального каскада
По своему действию дифференциальный каскад на транзисторах VT1 и VT2 (рис
1 Схемотехнические способы снижения погрешности перемножения
Источниками погрешности перемножения в четырехквадрантном АП (рис
1 Использование отрицательной обратной связи
Функциональная схема ПНТ, использующая отрицательную обратную связь (ООС) для снижения влияния rЭ, приведена на рисунке 2
2 Использование принципов компенсации нелинейности
Основная погрешность линейности преобразования рассмотренного ПНТ обусловлена существенной режимной зависимостью rE от тока эмиттера
С помощью делителей тока ДТ часть тока IX ответвляется в транзисторы VT3 и VT4 и с соответствующим знаком суммируется с выходным током ПНТ
Если вместо делителя тока в схеме ПНТ использовать ответвитель тока (рис
Поскольку приращение тока через резистор RX обусловлено приращением тока через транзистор VT7 или VT9, то пропорциональное приращение тока возникает и в транзисторах VT15, VT16
3а), так как результирующее приращение тока через резистор R1 возникает как за счет верхнего, так и за счет нижнего плеча моста, которые имеют противоположные знаки
С ростом тока в одном из плеч дифференциального повторителя тока растет напряжение база-эмиттер входного транзистора, например VT13
1)
где IX1=IX0 +IX ; IX2=IX0 -IX ; IY1=IY0 - IY; IY2=IY0 -IY; IX, IY – соответствующие приращения токов относительно статических токов IX0 и IY0
Для снижения погрешности за счет объемных сопротивлений баз транзисторов выполнено соответствующее масштабирование площадей транзисторов множительного ядра и логарифмирующих диодов
Амплитудно-частотная и фазочастотная характеристики
низковольтного АП
Принципиальная электрическая схема низковольтного АП на основе элементной базы АБМК НПО «Интеграл» приведена на рисунке 5
На один из входов, например Y, подавалось постоянное напряжение, а на вход X – изменяющееся в заданном диапазоне
Логарифмические АЧХ (1) и ФЧХ (2)
линеаризованного смесителя
Отклонение от линейности линеаризованного смесителя не превышает 0,7 % при входном напряжении 100 мВ
В этом случае должны быть использованы транзисторы p-n-p-типа, а их свойства на порядок хуже, чем свойства транзисторов SiGe n-p-n-типа
с англ
13
Printed in U