перейти к полному списку дипломных проектов
Ссылка на скачивания файла в формате .doc находится в конце странички
Простейший АП на основе дифференциального каскада
По своему действию дифференциальный каскад на транзисторах VT1 и VT2 (рис
Погрешность перемножения двухквадрантного аналогового перемножителя не превышает 1 % при уровне входных сигналов до 5 В при напряжении питания (15 В. Ширина полосы пропускания определяется, с одной стороны, применяемыми операционными усилителями, а с другой – частотными свойствами полевых транзисторов.
1.3 Перемножители на управляемых дифференциальных делителях тока
В настоящее время при проектировании АП наибольшее распространение получили перемножители, построенные на дифференциальных транзисторных парах. Иногда этот метод перемножения называют «методом переменной крутизны». Он основан на использовании экспоненциальных свойств биполярных транзисторов: изменение входного напряжения на базах дифференциальной пары транзисторов приводит к экспоненциальному изменению токов коллекторов и вызывает пропорциональное изменение крутизны.
Суть этого метода заключается в том, что выходной дифференциальный ток управляемого линейного делителя тока пропорционален произведению входных величин. Из рисунка 1.4 следует, что выходные токи и их разность соответственно равны
I1 = xI0;
I2 = (1-x)I0;
I1- I2 = (2x – 1)I0.
Если положить, что X = kX(2x-1), а Y = kYI0, то
Z = kZ(I1 – I2) = (kZ/kXkY)XY.
Рис. 1.4. Управляемый напряжением дифференциальный делитель тока
Управляемые делители тока хорошо работают на высоких частотах, кроме того, относительно просто реализуются в интегральном исполнении, поэтому рассматриваемые далее аналоговые перемножители напряжения будут выполнены именно на управляемых делителях тока.
2 ПЕРЕМНОЖИТЕЛИ НА ОСНОВЕ УСИЛИТЕЛЕЙ С ПЕРЕМЕННОЙ КРУТИЗНОЙ
Простейший способ реализации управляемого напряжением делителя тока заключается в использовании симметричного дифференциального каскада.
Пример схемы АП на основе усилителя с переменной крутизной приведен на рисунке 2.1.
Рис. 2.1. Простейший АП на основе дифференциального каскада
По своему действию дифференциальный каскад на транзисторах VT1 и VT2 (рис. 2.1) подобен усилителю с общим эмиттером, только токи эмиттеров указанных транзисторов не зависят от входных напряжений. Нетрудно заметить, что разность токов коллекторов транзисторов VT1 и VT2 пропорциональна не только входному дифференциальному напряжению UX, но и току эмиттера транзистора VT3 - IЭ3. Ток IЭ3 можно регулировать подачей напряжения между базами транзисторов VT3 и VT4. Если резисторы R1 и R2 равны, то напряжение на сопротивлении RН может быть представлено следующим образом:
, (2.1)
где (Т – температурный потенциал.
Из выражения (2.1) следует, что зависимость выходного напряжения от входных сигналов существенно нелинейная. Разложив гиперболический тангенс в ряд и ограничившись первым членом разложения, получим [1]:
(2.2)
Условие линейности по каждому из входов может быть записано в виде:
(2.3)
где ( – допустимый коэффициент нелинейности амплитудной характеристики перемножителя.
В частности, при заданной нелинейности ( 1 % оцененная из выражения (2.3) относительная амплитуда входного сигнала U X,Y /2(T не должна превышать 0,34, что практически позволяет применять такие АП только в качестве смесителя или балансного модулятора. Допустимые значения входных напряжений при заданной нелинейности приведены в таблице 2.1. Линеаризовать диапазон по входу Y можно включением резисторов в эмиттеры транзисторов VT3 и VT4, о чем будет сказано позже.
Таблица 2.1
Диапазон допустимых входных напряжений
Другим существенным недостатком простейших схем является то, что при изменении тока IЭ.3 меняется падение напряжения на резисторах R1 и R2.
скачать бесплатно Способы построения аналоговых перемножителей
Содержание дипломной работы
1, имеем:
,
,
тогда
,
где k – коэффициент, обусловленный особенностями работы логарифматора; – конечный коэффициент, вносимый логарифматорами и антилогарифматором
Очевидно, что эту схему в ограниченном диапазоне напряжений можно использовать как делитель напряжения
Простейший АП на основе дифференциального каскада
По своему действию дифференциальный каскад на транзисторах VT1 и VT2 (рис
1 Схемотехнические способы снижения погрешности перемножения
Источниками погрешности перемножения в четырехквадрантном АП (рис
1 Использование отрицательной обратной связи
Функциональная схема ПНТ, использующая отрицательную обратную связь (ООС) для снижения влияния rЭ, приведена на рисунке 2
2 Использование принципов компенсации нелинейности
Основная погрешность линейности преобразования рассмотренного ПНТ обусловлена существенной режимной зависимостью rE от тока эмиттера
С помощью делителей тока ДТ часть тока IX ответвляется в транзисторы VT3 и VT4 и с соответствующим знаком суммируется с выходным током ПНТ
Если вместо делителя тока в схеме ПНТ использовать ответвитель тока (рис
Поскольку приращение тока через резистор RX обусловлено приращением тока через транзистор VT7 или VT9, то пропорциональное приращение тока возникает и в транзисторах VT15, VT16
3а), так как результирующее приращение тока через резистор R1 возникает как за счет верхнего, так и за счет нижнего плеча моста, которые имеют противоположные знаки
С ростом тока в одном из плеч дифференциального повторителя тока растет напряжение база-эмиттер входного транзистора, например VT13
1)
где IX1=IX0 +IX ; IX2=IX0 -IX ; IY1=IY0 - IY; IY2=IY0 -IY; IX, IY – соответствующие приращения токов относительно статических токов IX0 и IY0
Для снижения погрешности за счет объемных сопротивлений баз транзисторов выполнено соответствующее масштабирование площадей транзисторов множительного ядра и логарифмирующих диодов
Амплитудно-частотная и фазочастотная характеристики
низковольтного АП
Принципиальная электрическая схема низковольтного АП на основе элементной базы АБМК НПО «Интеграл» приведена на рисунке 5
На один из входов, например Y, подавалось постоянное напряжение, а на вход X – изменяющееся в заданном диапазоне
Логарифмические АЧХ (1) и ФЧХ (2)
линеаризованного смесителя
Отклонение от линейности линеаризованного смесителя не превышает 0,7 % при входном напряжении 100 мВ
В этом случае должны быть использованы транзисторы p-n-p-типа, а их свойства на порядок хуже, чем свойства транзисторов SiGe n-p-n-типа
с англ
13
Printed in U